Verlag des Forschungszentrums Jülich

JUEL-3037
Rösen, Benedikt
Molekularstrahlepitaxie von Eisensilizidschichten aus gasförmigen Quellen auf Si(100) und Si (111)
123 S., 1995

Im Rahmen dieser Arbeit wurden EisensilizidjSilizium-Heterostrukturen mit Hilfe der Gasquellen-Molekularstrahlepitaxie (GSMBE) im Ultrahochvakuum (UHV) auf Si(100) und Si(111) hergestellt und charakterisiert.
Das Hauptaugenmerk lag hierbei auf der Herstellung des halbleitenden I3-FeSi2 . Als Prozefigase kamen Silan (SiH4 ) bzw. Disilan (Si2H6 ) und Eisenpentacarbonyl (Fe(CO)s) zum Einsatz. Die Charakterisierung der Schichten erfolgte in-situ mit der Photoemissionsspektroskopie (XPS, UPS), der Beugung langsamer Elektronen (LEED), der Augerelektronenspektroskopie (AES) und der Hochauflösenden Elektronenenergieverlustspektroskopie (HREELS). Darüber hinaus wurden verschiedene ex-situ Analysemethoden wie die Rutherford-Riickstreuung (RBS), die Rasterelektronenmikroskopie (SEM), die Transmissionselektronenmikroskopie (TEM, HRTEM), die Photothermische Deflektionsspektroskopie (PDS) und Hall-Messung eingesetzt.
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