Verlag des Forschungszentrums Jülich
JUEL-2869
Skeide, Ottmar
Allotaxie: Ein neues Verfahren zur Herstellung von Eisendisilizid- und Siliziumdioxid-Heterostrukturen in Silizium
101 S., 1994
Die heutige Technologie wird weitgehend bestimmt durch den Einsatz von
Halbleiterbauelementen.
Dabei dominieren diejenigen Bauelemente, die auf dem
Elementhalbleiter Silizium basieren. Fur deren Realisierung spielt die
Dünnschichttechnologie eine zentrale Rolle. Je nach gewünschter Anwendung handelt es sich
dabei um Schichten mit sehr unterschiedlichen elektrischen und strukturellen Eigenschaften.
Ein Teilbereich dieser Technologie befällt sich damit, dünne Schichten herzustellen, die in
einem Siliziurn \Ifafer vergraben sind. Dabei kann sowohl die vergrabene Schicht als auch das
darüberliegende Silizium amorph, polykristallin oder auch einkristallin sein, wobei jedoch für
viele Anwendungen das einkristalline Wachstum der dünnen Silizium-Deckschicht und der
vergrabenen Schicht wesentlich ist. Ein solches wird für verschiedene ÜbergangsmetallSilizide
beobachtet.
Aufgrund ihres metallischen oder auch halbleitenden Verhaltens sind für
diese Materialien, neben der Metallisierung, zahlreiche weitere Anwendungen in der Mikro und
Optoelektronik denkbar, Neben diesen kristallinen Materialien existiert ein weiteres
technologisch sehr bedeutendes Material, Siliziumdioxid, das jedoch amorph ist. Eine
wichtige Anwendung finden diese unter einkristallinem Silizium vergrabenen amorphen
Schichten bereits heute in der groliflachigen elektrischen Isolation zwischen dem Substrat und
der elektrisch aktiven Öberflachenschicht.
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