Verlag des Forschungszentrums Jülich
JUEL-4053
Jäger, Nikos D.
Effects of individual dopant atoms on the electronic properties of GaAs investigated by scanning tunneling microscopy and spectroscopy
VIII, 129 S., 2003
In dieser Arbeit werden die Auswirkungen von einzelnen Dotieratomen auf die
lokalen elektronischen Eigenschaften von Halbleitern untersucht . Dazu wurden
Rastertunnelmikroskopie- (RTM) und Spektroskopiemessungen an GaAs(110)
Spaltoberflächen durchgeführt. Es wird gezeigt, daß der elektronische Übergang
an p-n Grenzflächen eine Rauhigkeit besitzt, die mit der Verteilung einzelner
Dotieratome korreliert ist. Ferner werden elektrische Auswirkungen von Dotieratomclustern
untersucht, physikalische Mechanismen beim Tunneln zwischen einer
Rastertunnelmikroskopspitze und Galliumarsenid (110) Oberflächen bestimmt,
und aufgezeigt, daß ein atomar scharfer Voranritz atomar flache Spaltflächen
ermöglicht .
This work studies the effects of individual dopant atoms an the local electronic
properties of semi-conductors. Scanning tunneling microscopy (STM) and
spectroscopy is used to investigate cleaved GaAs(110) surfaces . It is shown that
the electronic interface at p-n junctions exhibits a roughness, which is correlated
to the local distribution of individual dopant atoms. Furthermore, the electronic
properties of dopant atom clusters are investigated, physical mechanisms of the
tunneling between a STM tip and the gallium arsenide (110) surface are explored,
and it is demonstrated that an atomically sharp precrack allows for atomically
flat cleavage surfaces.
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