Verlag des Forschungszentrums Jülich
JUEL-3811
Im Rahmen dieser Arbeit wurden epitaktische CoSi2/Si-Oberflächenschichten und Ge/CoSi2/Si-Heterostrukturen hergestellt und charakterisiert. Das Wachstum von (100)-orientierten ca. 20 nm dicken CoSi2-Schichten mit Hilfe der Molekularstrahlallotaxie wurde systematisch untersucht. Die Prozessparameter wurden erfolgreich im Hinblick auf die Temperaturstabilität der Silizidschichten optimiert. Dies war die wesentliche Voraussetzung für eine erfolgreiche und reproduzierbare Strukturierung der Silizidschichten mit Hilfe des neuartigen Verfahrens der lokalen Oxidation. Die Diffusion von B und Sb in Si unter dem Einfluss der Oxidation einer CoSi2-Schicht wurde mit SIMS-Messungen an Dotierstoffübergittern untersucht. Mit Hilfe der Surfactant Mediated Epitaxy von Ge auf auf in situ getemperten (111)-orientierten CoSi2-Oberflächenschichten gelang es erstmalig, epitaktische Ge/CoSi2/Si-Heterostrukturen herzustellen. Diese Schichtsysteme können zum Bau Si-basierter Bauelemente in der Optoelektronik verwendet werden.
Kappius, Ludger
Herstellung und Charakterisierung von CoSi2/Si-Heterostrukturen und Ge/CoSi2/Si-Heterostrukturen
146 S., 2000
Metallsilizide werden in der intergrierten Mikroelektronik als Kontaktmaterialien und Leiterbahnen eingesetzt. Einkristalline Silizidschichten weisen gegenüber polykristallinen Siliziden eine höhere Temperaturstabilität und nahezu perfekte Grenzflächen auf. Auf der Basis epitaktischer Silizid-Halbleiter-Heterostrukturen lassen sich zudem neuartige, vertikale Bauelemente herstellen.
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