Verlag des Forschungszentrums Jülich
JUEL-3805
Kaluza, Andreas
MOVPE-Wachstum und Charakterisierung von V-Graben Quantendrähten im Materialsystem AlGaAs/GaAs
147 S., 2000
In der vorliegenden Arbeit wurde das MOVPE-Wachstum von
V-Graben Quantendrähten untersucht. Das Ziel war, Strukturen
herzustellen an denen eindimensionaler Transport beobachtet werden
kann. Dies erfordert einerseits große energetische Subbandabstände,
die durch die Geometrie der Quantendrähte bestimmt werden, sowie
hohe Materialqualität. Um dies zu erreichen wurde der Einfluß
verschiedener metallorganischer Quellenverbindungen sowie der
Wachstumstemperatur auf die Geometrie und die Materialqualität
sowohl des GaAs-Quantentopfes als auch der AlGaAs-Barrieren
untersucht. Dabei wurde zunächst ein Parameterfenster bestimmt in dem
Material hoher Qualität abgeschieden werden kann. Innerhalb dieses
Fensters wurde der Einfluß auf die Geometrie der Quantendrähte
untersucht, wobei sich herausstellte, daß hier vor allem die
Wachstumstemperatur und die Wahl der Gallium
Quellenverbindungen eine wichtige Rolle spielen. Um
festzustellen welche Parameter am günstigsten für die Herstellung
von Quantendrähten ist, wurde durch Lösung der
Schrödinger-Gleichung bestimmt, welche Geometrie zu möglichst
hohen Subbandabständen führt. Auf diese Weise wurden Parameter
bestimmt, bei denen Quantendrähte mit den gewünschten
Eigenschaften hergestellt werden können.
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