Verlag des Forschungszentrums Jülich
JUEL-3735
Daniels, Claudia
Entwicklung eines Rastertunnelmikroskops in Kombination mit einer Anlage zur Molekularstrahlepitaxie und Photoemissionsspektroskopie
108 S., 2000
Im Rahmen dieser Arbeit wurde zur Untersuchung von III-V Halbleitern
eine neuartige Konzeption eines Rastertunnelmikroskops für den Einsatz
im Ultrahochvakuum realisiert. Den Schwerpunkt dieser Arbeit bildet
die technische Entwicklung und die konstruktive Realisierung des
Mikroskops. Es bedurfte aufgrund der ungünstigen Rahmenbedingungen
eines hohen apparativen Aufwands und komplexer Detaillösungen, um
Auflösung im atomaren Bereich zu erzielen. Dem erheblichen
Entwicklungsaufwand entsprechend wird die experimentelle Realisierung
detailliert dargestellt. Der Verlauf der sukzessiven Verbesserung wird
durch begleitende Messungen gezeigt, die Aufschluß über Stabilitäts-
und Auflösungseigenschaften der Apparatur geben. Die Mikroskopkammer
ist über ein Transfersystem mit einer Molekularstrahlepitaxie- (MBE)
und einer Metallorganischen Molekularstrahlepitaxieanlage (MOMBE)
verbunden. Die in den Epitaxieanlagen hergestellten Proben lassen sich
oberflächenspezifisch in-situ charakterisieren. Die
Rastertunnelmikroskopie stellt hierbei eine wichtige Ergänzung zur
Photoemissionsspektroskopie und zur Beugung niederenergetischer
Elektronen dar. Desweiteren wird eine neuartige Methode zur
Passivierung von III-V Halbleiteroberflächen mit Arsen vorgestellt,
sowie Untersuchungen von gesputterten Aluminiumfilmen auf Kobalt
beschrieben.
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