Verlag des Forschungszentrums Jülich
JUEL-3579
In dieser Arbeit wird dieses Strukturierungsverfahren an epitaktischer
CoSi2/Si(111)- und CoSi2/Si(100)-Heterostrukturen untersucht.
Dabei wird der Einfluß der Kristallsymmetrie, der Silizidschichtdicke,
des Oxidationsmaskendesigns und der Oxidationsbedingungen diskutiert.
Unter optimalen Bedingungen kann ein Abstand von nur 50 nm zwischen
den Silizidschichten realisiert werden.
Klinkhammer, Frank
Nanostrukturierung von epitaktischen CoSi2/Si-Heterostrukturen mittels lokaler Oxidation
146 S., 1998
In der integrierten Mikroelektronik werden metallische Silizide als
Kontaktmaterialien und Leiterbahnen eingesetzt.
Für eine neuen Generation von Bauelementen wird die Realisierung von
Nanostrukturen notwendig. Dabei stößt die konventionelle optische
Lithographie an ihre Grenzen.
In dieser Arbeit wird ein neuartiges Strukturierungsverfahren für Silizide
dargestellt, welches auf der lokalen Oxidation des Silizides (LOCOSI) beruht.
Bei diesem Verfahren wird zum Einen die konventionelle optische
Lithographie in Kombination mit einer von der lokalen Oxidation von Silizium
(LOCOS) bekannten Maskentechnik eingesetzt. Zum Anderen wird die
Oxidationsstabilität des Silizides ausgenutzt.
Während der Oxidation bildet sich eine Siliziumdioxidschicht auf dem Silizid,
welches infolge der Oxidation in das Siliziumsubstrat hineingeschoben wird.
Wird die Oxidation lokal ausgeführt, so wird das Silizid nur an definierten
Stellen in das Substrat verlagert. Auf diese Weise enstehen Schwachstellen
im Übergangsbereich von oxidierter und abgedeckter Silizidschicht.
Nach Erreichen einer kritischen Oxidschichtdicke trennt sich die
Silizidschicht, und es entstehen zwei elektrisch nur über das
Siliziumsubstrat verbundene Teilschichten.
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