Verlag des Forschungszentrums Jülich

JUEL-3506
Schmidt, Roland
Beurteilung der optischen Eigenschaften von AlGaInP hergestellt in der metallorganischen Gasphasenepitaxie unter Stickstof- oder Wasserstoffatmosphäre
81 S., 1998

In dieser Arbeit wurde vergleichend der Einfluß der Trägergase Wasserstoff und Stickstoff auf die optischen Eigenschaften beim Wachstum der III/V-Halbleiterverbindung AlGaInP in der metallorganischen Gasphasenepitaxie untersucht. Dazu wurden mit beiden Trägergasen AlGaInP-Schichten auf GaAs bei Wachstumstemperaturen zwischen 720° C und 780° C abgeschieden.

An Hand von Photolumineszenzuntersuchungen unterstützt durch die Transmissionselektronenmikroskopie wurde dabei deutlich, daß das optische Verhalten von AlGaInP ganz entscheidend durch das Auftreten langreichweitiger Kristallordnung der Gruppe-III-Atome bestimmt wird. Es mußte die Hypothese aufgestellt werden, daß bei 2K grundsätzlich drei PL-Emissionen beobachtet werden können, deren Verhalten stark von der Mikrostruktur des Materials, der sogenannten Domänenstruktur abhängt. Insbesondere ergaben sich erste Hinweise dafür, daß eine in der gegenwärtigen Forschung intensiv untersuchte PL-Emission, die sogenannte "moving emission", möglicherweise eine Bande aus zwei Übergängen darstellt.

Auf den gewonnenen Erkenntnissen aufbauend, konnte festgestellt werden, daß das Trägergas Stickstoff die Kristallordnung bei AlGaInP grundsätzlich fördert. Es konnte gezeigt werden, das damit eine größere Halbwertsbreite der Photolumineszenz bei Raumtemperatur verbunden ist, welche nachweislich nicht auf eine schlechtere Kristallqualität der Schichten zurückgeführt werden kann.




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Letzte Änderung: 07.06.2022