Verlag des Forschungszentrums Jülich
JUEL-3506 In dieser Arbeit wurde vergleichend der Einfluß der Trägergase Wasserstoff und
Stickstoff auf die optischen Eigenschaften beim Wachstum der III/V-Halbleiterverbindung
AlGaInP in der metallorganischen Gasphasenepitaxie untersucht. Dazu wurden mit beiden
Trägergasen AlGaInP-Schichten auf GaAs bei Wachstumstemperaturen zwischen 720° C und
780° C abgeschieden. An Hand von Photolumineszenzuntersuchungen unterstützt durch die
Transmissionselektronenmikroskopie wurde dabei deutlich, daß das optische Verhalten von
AlGaInP ganz entscheidend durch das Auftreten langreichweitiger Kristallordnung der
Gruppe-III-Atome bestimmt wird. Es mußte die Hypothese aufgestellt werden, daß bei 2K
grundsätzlich drei PL-Emissionen beobachtet werden können, deren Verhalten stark von der
Mikrostruktur des Materials, der sogenannten Domänenstruktur abhängt. Insbesondere
ergaben sich erste Hinweise dafür, daß eine in der gegenwärtigen Forschung intensiv
untersuchte PL-Emission, die sogenannte "moving emission", möglicherweise eine
Bande aus zwei Übergängen darstellt. Auf den gewonnenen Erkenntnissen aufbauend, konnte festgestellt werden, daß das
Trägergas Stickstoff die Kristallordnung bei AlGaInP grundsätzlich fördert. Es konnte
gezeigt werden, das damit eine größere Halbwertsbreite der Photolumineszenz bei
Raumtemperatur verbunden ist, welche nachweislich nicht auf eine schlechtere
Kristallqualität der Schichten zurückgeführt werden kann.
Schmidt, Roland
Beurteilung der optischen Eigenschaften von AlGaInP hergestellt in der metallorganischen Gasphasenepitaxie unter Stickstof- oder Wasserstoffatmosphäre
81 S., 1998
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