Verlag des Forschungszentrums Jülich
JUEL-3430
Mit in situ Photoelektronenspektroskopie wurde die Bandanordnung an pseudomorphen In-
As/GaAs, InAs/ AIAs und GaAs/InP Grenzflächen bestimmt. Die Heterostrukturen wurden
mit Festquellen- und Gasquellen-Molekularstrahlepitaxie (MBE und MOMBE) hergestellt, ihre
Gitterfehlpassung beträgt bis zu 7 Prozent. Es wird beschrieben, wie die klassische
Rumpfniveaumethode wegen der Verspannung modifiziert werden muß.
In einem kleineren, theoretischen Teil wird die wichtigste Modelltheorie über Bandoffsets,
Tersoff's Grenzflächendipoltheorie, auf den Fall der Verspannung verallgemeinert. Weitere Kapitel
befassen sich mit der Berücksichtigung der Dotierung bei der Messung von Bandoffsets mit
Photoemission und mit der Höhe der Schottkybarriere an in situ hergestellten Gold/InAs-
Kontakten.
We have used in situ photoelectron spectroscopy to study the strain dependence of the band
offsets at pseudomorphic InAs/GaAs, InAs/ AIAs and GaAs/InP heterojunctions. Heterostructure
sampies have been prepared by standard molecular beam epitaxy (MBE) or metal organic
molecular beam epitaxy (MOMBE). The lattice mismatch amounts up to 7 percent. We
emphasize the modifications of the classical core-level method due to the strain.
In a short theoretical part we have generalized the most important model theory on band
offsets, the interface dipole theory due to Tersoff, to the case of strain. Further chapters treat
the influence of doping on the photoemission measurement of band offsets and the Schottky
barrier height at clean Au/InAs contacts.
Ohler, Christian
Bandoffsets an Grenzflächen von hochverspannten III-V Halbleitern
161 S., 1997
Die Höhe der Bandoffsets (Banddiskontinuitäten) an Halbleitergrenzflächen bestimmt die
Funktion und Performance wichtiger elektronischer Bauelemente. Aufgrund der Perfektion
der Epitaxietechniken sind heutzutage hochverspannte, pseudomorphe Schichten gängige
Bestandteile solcher Bauelemente. In dieser Dissertation wird untersucht, wie die Verspannung
die Bandanordnung an III-V Halbleitergrenzflächen beeinflußt.
The height of semiconductor heterojunction band offsets (band discontinuities) determines the
feasability and performance of important electronic devices. In consequence of the progress
made in epitaxial techniques, strained pseudomorphic layers are today routine parts of such
devices. In the present thesis the question is investigated how the band line-up at a III-V
heterojunction is affected when one or both constituents are strained.
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