Verlag des Forschungszentrums Jülich
JUEL-3432
Transportmessungen bei verschiedenen Temperaturen bis hinab zu 50 mK
zeigen an Dioden beider Herstellungsverfahren klar aufgelöste Stromstufen
aufgrund von Einelektronen-Tunnelprozessen. Insbesondere im Fall der
mesastrukturierten Dioden kann Störstellentunneln als Ursache dieser
Stromstufen ausgeschlossen werden. Vielmehr konnte gezeigt werden, daß das
Auftreten der Stromstufen ausschließlich auf die Wirkung des Gatepotentials
zurückzuführen ist.
Magnetotransportmessungen an mesastrukturierten Diodenbei einer Temperatur von
50 mK zeigen eine oszillatorische Abhängigkeit der Einsatzspannungen der
Stromstufen von einem parallel zur Transportrichtung angelegten Magnetfeld.
Bei hohen Magnetfeldern zeigt sich dagegen ein typisches Sättigungsverhalten.
Beide Effekte können durch die Formulierung von Randbedingungen für die
Elektronenzahl und das Ferminiveau in dem an die eigentliche Tunnelstruktur
angrenzenden Elektronenreservoir erklärt werden.
Griebel, Martin
Transportuntersuchungen an resonanten Tunneldioden mit Abmessungen im Sub-Mikrometerbereich
171 S., 1997
Zur Untersuchung der Transporteigenschaften resonanter Tunneldioden im
Einelektronenbereich wurden aus mehreren mittels MBE gewachsenen
AlGaAs/GaAs/AlGaAs Doppelbarrierensystemen Dioden mit Abmessungen im
Sub-Mikrometerbereich hergestellt. Hierzu wurden zwei verschiedene
Technologien entwickelt: Es wurden sowohl mesastrukturierte Dioden mit Hilfe
des reaktiven Ionenätzens als auch vollständig planare Dioden mit Hilfe eines
Implantationsprozesses hergestellt. Die mesastrukturierten Dioden wurden
zusätzlich mit einem Gate zur Steuerung des effektiven Diodenquerschnittes
versehen.
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